原位XRD技术是当前储能领域研究中重要的分析手段，彭苏萍按它不仅可排除外界因素对电极材料产生的影响，彭苏萍按提高数据的真实性和可靠性，还可对电极材料的电化学过程进行实时监测，在电化学反应的实时过程中针对其结构和组分发生的变化进行表征，从而可以有更明确的对体系的整体反应进行分析和处理，并揭示其本征反应机制。

c)Si/Pt、掺氢掺氢产值Si/CdS/Pt和Si/CdS/TiO2/Pt的IPCE测试。硫化镉(CdS)是与p-Si阴极能带匹配的理想n型材料，年天年可形成p-Si/n-CdS异质结。

③保护层，然气以避免CdS和Si基底的腐蚀。全产【图文简介】图1Si/CdS/TiO2/Pt的形貌表征a)Si/CdS/TiO2/Pt光电极覆盖顺序示意图【小结】综上所述，业链亿元作者成功地将TiO2作为多功能层应用于p-Si/n-CdS异质结光电阴极，以提高光电压、光电流和稳定性。

可达图3Si/CdS/TiO2/Pt的载流子分离a)FTO/CdS和FTO/CdS/TiO2的PL光谱。图2Si/CdS/TiO2/Pt系列材料的光电化学性能a)Si/Pt、彭苏萍按Si/CdS/Pt和Si/CdS/TiO2/Pt的J-V曲线。

【成果简介】近日，掺氢掺氢产值天津大学巩金龙教授、掺氢掺氢产值王拓教授(共同通讯作者)等利用简单化学浴沉积处理商业化p-Si基底得到p-Si/n-CdS异质结，之后进而使多功能TiO2层覆盖其上，整体作为光电极用于光电压的产生，并在NanoEnergy上发表了题为MultifunctionalTiO2Overlayerforp-Si/n-CdSHeterojunctionPhotocathodewithImprovedEfficiencyandStability的研究论文。

【引言】硅(Si)作为光电催化制氢反应(HER)的光阴极，年天年由于其储量丰富、加工技术成熟以及导带电位适宜质子还原，已受到众多关注。然气PPTV体育获U-23亚青赛视频网站独家版权亚足联U-23青年锦标赛将于明年1月在卡塔尔首都多哈打响。

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